製品選択ガイド - ボルテージディテクタ

SIIのボルテージディテクタは、CMOSプロセスを使用して開発された、高精度電圧検出器です。検出電圧は内部で固定され、精度は±1.0％～±2.0％です。
出力形態はNchオープンドレイン出力とCMOS出力の2種類から選択可能です。

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No.	製品名	機能	検出電圧	精度	動作電圧	消費電流 (typ.)	出力形態	パッケージ
1	S-1000シリーズ	350 nA超低消費電流	1.5 ~ 4.6 V	±1.0%	0.95 ~ 5.5 V	350 ｎA (Vdd=検出電圧+1.5V)	Nch opendrain CMOS	SC-82AB SOT-23-5 SNT-4A
2	S-808xxCシリーズ	標準品	0.8 ~ 6.0 V	±2.0%	0.65 ~ 5.0 V (検出電圧1.4V以下品) 0.95 ~ 10 V (検出電圧1.5V以上品)	1.3 µA (VDET≤1.4V, VDD=1.5V) 0.8 µA (VDET≥1.5V, VDD=3.5V)	Nch opendrain CMOS	SNT-4A SC-82AB SOT-23-5 SOT-89-3 TO-92
3	S-1009シリーズ	270 nA超低消費電流	0.8 ~ 4.6 V	±0.5%	0.6 ~ 10 V	270 ｎA	Nch opendrain CMOS	SC-82AB SOT-23-5
4	S-809xxCシリーズ	遅延回路内蔵 (遅延時間外部設定)	1.3 ~ 6.0 V	±2.0%	0.7 ~ 10 V	1.1 µA (VDET≥1.5V, VDD=3.5V) 1.0 µA (VDET≤1.4V, VDD=2.0V)	Nch opendrain CMOS	SNT-4A SC-82AB SOT-23-5
5	S-801シリーズ	遅延回路内蔵 (遅延時間内部設定)	2.2 ~ 6.0 V	±2.0%	0.95 ~ 10 V	1.3 µA (Vdd=3.5V)	Nch opendrain CMOS	SNT-4A SOT-23-5